始建于1959年
主要技術(shù)指標(biāo):
基材厚度:PET:10-125μm;PI:8-75μm
有效鍍膜幅寬:1300mm
6組濺射陰極,其中1組孿生陰極
純金屬濺射靶材利用率≥35%;反應(yīng)濺射靶材利用率≥30%;
真空抽率:卷繞室從大氣狀態(tài)到2×10-2Pa,需要時(shí)間≤35min
鍍膜室(清潔、空載)極限壓力:≤5×10-4 Pa;
卷繞室壓升率(清潔、空載):≤0.5Pa/hr(深冷冷阱工作)
放、收卷徑:400mm(最大);放、收卷芯軸直徑:6 inch(150mm) ;
反饋控制:磁控濺射反饋補(bǔ)氣響應(yīng)時(shí)間≤45μs
鍍膜均勻性,重復(fù)性測(cè)試:在1250mm幅寬范圍內(nèi)濺射均勻性≤±3%
反應(yīng)濺射氣體反饋控制系統(tǒng)(可選):實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)濺射的精細(xì)控制;
前處理:烘烤解熱和線性離子源
在線光學(xué)反射率傳感系統(tǒng)或歐姆測(cè)量傳感系統(tǒng)
張力控制范圍:0-500N ,控制精度:±1%
基膜走速:0.5—10米/分鐘
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